1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低; ◆开关速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通态压降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆低饱和压降,导通损耗小; ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆关速度快,关损耗小 ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
喜讯 | 威九国际88XX荣获国产功率器件行… 12月23日,威九国际88XX受邀参加第十四届亚洲电源技术发展论坛,与来… 2024-01-09 了解更多
省委书记信长星等领导一行莅临威九国际88XX… 12月25日,省委书记信长星一行莅临88XX威九国际(中国)官方网站(以… 2023-12-27 了解更多
新品推介 | 威九国际88XX推出1700V I… 应用场景介绍级联型H桥拓扑结构简单,扩展灵活,目前已经在高压… 2023-11-23 了解更多